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          以核心技術,發展低碳科技;
          以高端產品,服務全球客戶;
          以人文關愛,回饋企業員工。

                 碳化硅(SiC)是一種性能優越的新型化合物半導體材料。碳化硅半導體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍)、高臨界場強(約為硅的10倍)、高熱導率(約為硅的3倍)等優良特性,是制作高溫、高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導體材料。同時,也是僅次于鉆石的最優良的半導體材料。

           

          優異特性

                 目前我們可提供標準的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二極管(SBD)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)、結型場效應晶體管(JFET)和雙極結型晶體管(BJT)的制作。這些電力電子器件可廣泛應用于包括太陽能逆變器、風力發電、混合動力及電動汽車等綠色能源和節能系統。

           

          應用范圍

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